ZR-KX-GS-VVRP-1*2*1.5補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)電纜名稱(chēng)

聚氯乙烯絕緣及護(hù)套精密級(jí)多股導(dǎo)體銅絲編織總屏，K分度號(hào)熱電偶用補(bǔ)償軟電纜

補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：JB/T 7495-2014

電纜規(guī)格

截面（mm2）：0.2～2.5

ZR-KX-GS-VVRP-1*2*1.5補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)主要作用

熱電偶用補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)是用來(lái)延伸熱電偶的泠端、與測(cè)溫儀連接構(gòu)成測(cè)溫系統(tǒng)。

補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)按照其原理可分為延長(zhǎng)型和補(bǔ)償型，延長(zhǎng)型用“X"表示，補(bǔ)償型用“C"表示；延長(zhǎng)型KX-VPV補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)兩端熱電勢(shì)相同，而補(bǔ)償型，熱電勢(shì)與所配用熱電偶的熱電勢(shì)標(biāo)稱(chēng)值相近，這也是兩者的按原理分類(lèi)的主要區(qū)別。kx補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)。

　　從KX-VPV補(bǔ)償精度分普通級(jí)和精密級(jí)，精密級(jí)補(bǔ)償后的誤差大體上只有普通級(jí)的一半，通常用在測(cè)量精度要求較高的地方。如S、R分度號(hào)的補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)，精密級(jí)的允差為±2.5℃，普通級(jí)的允差為±5.0℃；K 、N分度號(hào)的補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)，精密級(jí)的允差為±1.5℃，普通級(jí)的允差為±2.5℃。在型號(hào)中普通級(jí)的不標(biāo)，精密級(jí)的加“S"表示。
　　從工作溫度分一般用和耐熱用，一般用工作溫度為0 ~ 100℃（少數(shù)為0 ~ 70℃）；耐熱用工作溫度為0 ~ 200℃。
　　此外，可以線(xiàn)芯多少分為單股和多芯（軟線(xiàn)）KX-VPV補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)，以是否帶屏蔽層分為普通型和屏蔽型KX-VPV補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)，還有專(zhuān)用于防爆場(chǎng)合的本質(zhì)安全電路用的KX-VPV補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)

熱電偶補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)的技術(shù)要求：

1、絕緣電阻

    當(dāng)周?chē)諝鉁囟葹?5-35℃，相對(duì)濕度不大于80%時(shí)，補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)的線(xiàn)芯間和線(xiàn)芯與屏蔽層之間的絕緣電阻每10米不小于5MΩ。

2、物理機(jī)械性能

    一般用補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)的絕緣層和護(hù)套的物理性能和老化性能應(yīng)符合表5規(guī)定。

3、防潮性能

    耐熱用補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)應(yīng)經(jīng)受環(huán)境溫度40±2℃，相對(duì)濕度95±3%，歷時(shí)24小時(shí)防潮性能試驗(yàn)后，補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)的線(xiàn)芯間和線(xiàn)芯與屏蔽層之間的絕緣電阻每米不小于25 MΩ。

4、低溫卷繞性能

    一般用補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)應(yīng)經(jīng)受-20℃的低溫卷繞試驗(yàn)后，用目力觀(guān)察卷繞在試棒上的試樣的絕緣層應(yīng)無(wú)任何裂紋

5、屏蔽層

    編織密度不小于80%，斷頭處經(jīng)銜接后應(yīng)修剪整齊；復(fù)合鋁（銅）帶應(yīng)緊密貼在絕緣層上，不易松脫；屏蔽層的厚度不得大于0.8mm。

6、絕緣電阻

    當(dāng)周?chē)諝鉁囟葹?5-35℃，相對(duì)濕度不大于80%時(shí)，補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)的線(xiàn)芯間和線(xiàn)芯與屏蔽層之間的絕緣電阻每10米不小于5MΩ。

7、物理機(jī)械性能

    一般用補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)的絕緣層和護(hù)套的物理性能和老化性能應(yīng)符合相關(guān)規(guī)定。

8、耐熱性能

    耐熱用補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)應(yīng)經(jīng)受220±5℃歷時(shí)24小時(shí)耐熱性能試驗(yàn)后，立即將試樣在5倍其直徑的圓柱體上彎曲180度后應(yīng)表面無(wú)裂紋，補(bǔ)償導(dǎo)線(xiàn)的線(xiàn)芯間和線(xiàn)芯與屏蔽層之間的絕緣電阻每米不小于25MΩ。

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